介觀壓阻型微壓力傳感器介紹及規(guī)劃

　　壓力傳感器運用廣泛，例如轎車中的多路壓力丈量(如空氣壓力丈量和輪胎體系、液壓體系、供油體系的壓力丈量)、環(huán)境操控(如加熱、通風和空氣調(diào)理)中的壓力丈量、航體系中的壓力丈量以及醫(yī)學中動脈血液壓力丈量等。這兒將在傳統(tǒng)壓力傳感器中運用一種新原理一介觀壓阻效應口，即在共振隧穿電壓鄰近，通過4個物理進程，將一個弱小的力學信號轉(zhuǎn)化為一個較強的電學信號。

　　用基于介觀壓阻效應的共振隧穿薄膜替代傳統(tǒng)的壓阻式應變片作為靈敏元件，通過理論剖析和仿真核算驗證了該構造對傳感器靈敏度、固有頻率的影響，從理論上證明了介觀壓阻效應原理能夠進步壓力傳感器的靈敏度，擴展其丈量頻率的規(guī)模。

　　介觀壓阻效應及GaAs，AlAs/InGaAsDBRT構造薄膜

　　介觀壓阻效應的界說為“等效電阻的應力調(diào)制"，等效電阻是對共振隧效應的一種詳細描繪。由4個物理進程構成：①在力學信號下，納米構造中的應力散布將發(fā)作改變；②必定條件下應力改變可致使內(nèi)建電場的產(chǎn)生；③內(nèi)建電場將致使納米帶構造中量子能級發(fā)作改變；④量子能級改變會致使共振隧穿電流改變。簡言之，在共振隧穿鄰近，通過上述進程，可將一個弱小的力學信號轉(zhuǎn)化。為一個較強的電學信號，體現(xiàn)出較大的壓阻系數(shù)。這兒所用的介觀壓阻效應元件為GaAs/A1As/InGaAs DBRT構造薄膜納米級窄帶隙資料。隨著外部壓力致使的拉伸應變的改變(如圖1所示)，DBRT構造的共振隧穿電流和阻抗明顯改變。而且，阻抗應變輸出可由外部電壓有用調(diào)理。其長處是靈敏度高、靈敏度可調(diào)、靈敏度隨溫度改變小。

　　傳感器構造規(guī)劃及力學剖析

　　所規(guī)劃的壓阻式壓力微傳感器，其制法是將N型硅腐蝕成厚10～25μm的膜片，并在一面分散了4個阻值持平的P型電阻。硅膜片周邊用硅杯固定，則當膜片兩面有壓力差時，膜片即發(fā)作變形，然后致使電阻改變。用微電路檢查出這種電阻改變，通過核算即可得出壓力改變?nèi)鐖D2所示。

　　核算時假定：小撓度理論；壓力是均勻作用于平膜片外表。由平膜片的應力核算公式可知：

　　當r<0．635R時，σ>0；

　　同樣，當r=0．812R時，σT=0，且σr<0，如圖3所示。在圓形硅膜片上，沿[110]晶向，在0．635R半徑表里各分散2個電阻，并恰當組織分散的方位，使得σn=一σro，則有(△R／R)i=一(△R/R)

　　這么即可構成差動全橋電路，測出壓力P的改變。式中σri，σro別離為內(nèi)、外電阻上所受徑向力的平均值；(△R／R)i，(△R/R)別離為內(nèi)、外電阻的相對改變。

　　依據(jù)膜的構造與應力核算公式，推出被測壓力與應變片測出的應變：

　　式中：μ為硅資料的泊松比，μ=O.35；R,r，h別離為硅膜片的有用半徑，核算半徑，厚度；E為硅資料的模量，E=8．7Gpa；P為作用于平膜片上的壓力；ω為平膜片的撓度；

　　通過剖析，綜合考慮規(guī)劃的請求，開始設定：h=20μm，R=200μm。其固有頻率能夠按下式核算：

　　傳感器的功能剖析與核算

　　運用介觀壓阻效應原理替代壓阻原理來檢查壓力，將圓膜片上的的壓敏電阻換成GaAs／A1As／InGaAs DBRT構造薄膜。用傳遞矩陣法核算該薄膜在沿成長方向的應力改變下的輸出呼應，通過全部構造的隧穿電流密度可表示為：

　　式中：e為電子電荷的巨細，m*為GoAs電子的有用質(zhì)量，kB為玻爾茲曼常數(shù)，T為溫度，EF為費米能級，E1為入射電子筆直(縱向)能量。

　　使用公式可核算出不一樣拉伸應變下隧穿電流隨偏壓的改變，如圖4所示。圖中實線、虛線別離表示0和5％的拉伸應變。核算偏壓別離為0．75 V和1.2 V時的壓阻系數(shù)為：

　　傳感器的輸出為：

　　設偏壓為0．75 V設偏壓為0．75 V，電橋的鼓勵電壓為2．5 V的情況下，該傳感器的靈敏度S為：

　　結語

　　該構造的壓力微傳感器因為靈敏元件與改換元件一體化，尺度小，其固有頻率很高，能夠丈量頻率規(guī)模很寬的脈動壓力。在不一樣的偏壓下，該傳感器的靈敏度不一樣。闡明靈敏度可調(diào)理。同樣構造的微壓力傳感器，假如靈敏元件是硅或銅鎳合金壓敏電阻，其靈敏度別離為0．38x104V／m和O．17×104V／m。可見選用共振隧穿二極管做為靈敏元件的微壓力傳感器其靈敏度較之傳統(tǒng)的傳感器得到了很大的進步。